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SiC的加入量对零膨胀硅砖性能的影响

时间:2024-12-05 浏览:1575次

  SiC的加入量对零膨胀硅砖性能的影响

  我们对SiC的颗粒对硅砖性能的影响进行试验分析,结论选用粒度为≤0.088mmSiC加入硅砖试样中,研究不同SiC加入量对零膨胀硅砖性能的影响。检测试样的体积密度,气孔率,常温耐压强度,导热系数,物相组成和显微结构。

零膨胀硅砖

  随着SiC加入量的增加,试样的体积密度先升高后降低,显气孔率先降低后升高。分析认为:随着SiC加入量的增加,SiO2和SiC形成固相烧结,试样的气孔率降低,体积密度升高。随着SiC的加入量继续增加,SiC于试样中累积,SiC与SiC在1430℃很难烧结,试样内部烧结差,孔隙多,试样的体积密度降低,显气孔率升高。当SiC的加入量为5%时,零膨胀硅砖试样的体积密度较大,显气孔率较低。

  随着SiC加入量的增加,试样的常温耐压强度随着SiC加入量的增加而增大;SiC的加入量为5%时,试样的常温耐压强度达到43Mpa较大。随着SiC的加入量进一步增加,试样的常温耐压强度开始下降。分析认为:零膨胀硅砖试样在1430℃下烧结,随着SiC加入量的增加,SiO2与与SiC间形成固相烧结,试样烧结较好,气孔率较低,试样的常温耐压强度升高,继续增加SiC的加入量,SiC在试样内部堆积,在1430℃温度下,SiC颗粒间难以烧结,试样结合差,孔隙较多,结构疏松,常温耐压强度降低。

  经过1430℃煅烧后,每组零膨胀硅砖试样的衍射较强峰都是方石英相,SiC加入量为5%时,2θ为25.8处残余石英特征峰峰高值较小,2θ为21.3处鳞石英的特征峰峰高值较大。通过HighscorePlus软件,对每组XRD图谱拟合半定量分析,可以观察到,随着SiC加入量的增加,鳞石英的含量逐渐降低,说明SiC的加入量的增多意味着SiO2细粉量的减少,SiC不易被烧结,抑制鳞石英析晶,降低鳞石英的含量。

  随着SiC加入量的增加,试样的导热系数先上升后下降,当SiC的加入量为6%时,试样的导热系数较大。随着SiC加入量继续增加,试样的导热系数稍有降低。说明SiC加入量过多,零膨胀硅砖试样内部结构疏松,体积密度降低,导热系数下降。

  综上所述:SiC的加入量为5%时,硅砖试样体积密度、常温耐压强度和导热系数较大,显气孔率较低。